Intersil (Renesas Electronics America) 2N6851TX

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N6851TX

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERSIL CORP

Risk Rank

5.05

Drain Current-Max (ID)

4 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Turn-off Time-Max (toff)

160 ns

Turn-on Time-Max (ton)

150 ns

ECCN 代码

EAR99

附加功能

辐射硬化

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

参考标准

MILITARY STANDARD (USA)

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

漏极-源极导通最大电阻

0.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

环境耗散-最大值

25 W