Intersil (Renesas Electronics America) HZ4B1TD

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Style

长式

Package Shape

ROUND

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Max

175 °C

Number of Elements

1

Risk Rank

5.45

Package Description

O-LALF-W2

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer Part Number

HZ4B1TD

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

5 mA