2N5559详情
ISC 2N5559重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Qualification
AEC-Q200
Voltage, Rating
50 V
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Max
175 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
1 MHz
Manufacturer Part Number
2N5559
Package Shape
ROUND
Manufacturer
API Technologies Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
API TECHNOLOGIES CORP
Risk Rank
5.5
ECCN 代码
EAR99
温度系数
15 ppm/°C
电阻
180
子类别
其他晶体管
额定功率
0.0625 W
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
电阻器类型
Precision Low TCR
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-3
最大耗散功率(Abs)
100 W
电阻公差
0.1
集电极电流-最大值(IC)
10 A
最小直流增益(hFE)
12
集电极-发射器电压-最大值
120 V
VCEsat-最大值
0.75 V
产品长度
1.55 mm
产品宽度
0.8 mm
2N5559拓展信息








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