ISC FQA26N30

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

25.5 A

Risk Rank

5.92

Package Description

TO-3P, 3 PIN

Part Package Code

TO-3P

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

FQA26N30

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

25.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.135 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

102 A

DS 击穿电压-最小值

300 V

雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

200 W