FRK6764M1详情
ISC FRK6764M1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
表面安装
NO
RoHS
Compliant
Package Description
,
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
FRK6764M1
Manufacturer
Harris Semiconductor
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
HARRIS SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.92
容差
1 %
JESD-609代码
e0
温度系数
100 ppm/°C
电阻
6.04 kΩ
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Metal Film
子类别
FET 通用电源
Reach合规守则
unknown
军用标准
MIL-PRF-39017
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
38 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
长度
4.75 mm
直径
1.68 mm
FRK6764M1拓展信息








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