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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | ECCN 代码 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FS16KM-6 | Renesas Electronics America | 数据表 | 25000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | FS16KM-6 | 不推荐 | RENESAS ELECTRONICS CORP | TO-220AB | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 5.37 | 16 A | 1 | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | EAR99 | SINGLE | THROUGH-HOLE | compliant | 3 | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-220AB | 0.33 Ω | 48 A | 300 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
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