ISC MUR2030CT

包装/外壳

32-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)

安装类型

表面贴装

表面安装

NO

供应商器件包装

32-SOJ

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Memory Types

Volatile

Package Description

LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

MUR2030CT

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GOOD-ARK ELECTRONICS CO LTD

Forward Voltage-Max (VF)

1.5 V

Risk Rank

5.58

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

--

包装

Tube

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

应用

EFFICIENCY

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3 V ~ 3.6 V

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

基本部件号

IDT71V124

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

内存大小

1Mb (128K x 8)

二极管类型

接收电极

箱体转运

ISOLATED

访问时间

15ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出电流-最大值

10 A

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

300 V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大非代表Pk前进电流

125 A

反向电流-最大值

50 µA

反向恢复时间-最大值

0.05 µs