NDD506AL详情
ISC NDD506AL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-35
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Impedance (Max) (Zzt)
10 Ohms
厂商
Central Semiconductor Corp
Product Status
Obsolete
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
NDD506AL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
National Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.83
Drain Current-Max (ID)
19 A
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
容差
±5%
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
500 mW
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
6.2 V
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.05 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
环境耗散-最大值
72 W
NDD506AL拓展信息








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