对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 反馈上限-最大值 (Crss) | |||||||||||||||||
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![]() | 4N80G-TF3-T | Advanced Energy | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | 4N80G-TF3-T | 有 | 活跃 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD | TO-220AB | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 5.59 | 4 A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | FLANGE MOUNT | 160 ns | 140 ns | SINGLE | THROUGH-HOLE | compliant | 3 | R-PSFM-T3 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-220AB | 4 A | 3 Ω | 16 A | 800 V | 460 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 36 W | 12 pF | ||||
4N80G-TF3-T | UTC(Unisonic Tech) | 数据表 | 18000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | true | Tube-packed |



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