IS41LV16100B-60TI详情
ISSI IS41LV16100B-60TI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
44
Package Description
0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP44/50,.46,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
60 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IS41LV16100B-60TI
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.86
Part Package Code
TSOP2
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
50
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.17 mA
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
16777216 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
1024
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
自我刷新
NO
宽度
10.16 mm
长度
20.95 mm
IS41LV16100B-60TI拓展信息
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
ISSI
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ISSI
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