IS42VS16100E-10TLI详情
ISSI IS42VS16100E-10TLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
表面安装
YES
终端数量
50
RoHS
有
Package Description
TSOP2, TSOP50,.46,32
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP50,.46,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
10
Access Time-Max
7 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IS42VS16100E-10TLI
Clock Frequency-Max (fCLK)
100 MHz
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TSOP2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.36
Part Package Code
TSOP2
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
50
JESD-30代码
R-PDSO-G50
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
最大电源电压
1.9 V
最小电源电压
1.7 V
内存大小
2 MB
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.05 mA
访问时间
7 ns
数据总线宽度
16 b
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
16777216 bit
最高频率
100 MHz
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
2048
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
双库页面突发
自我刷新
YES
宽度
10.16 mm
长度
20.95 mm
IS42VS16100E-10TLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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