ISSI IS43DR16640A-3DBLI

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

84

终端数量

84

RoHS

Compliant

Memory Types

DDR2 SDRAM, RAM

Package Description

TFBGA, BGA84,9X15,32

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

64000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA84,9X15,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS43DR16640A-3DBLI

Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz

Number of Words

67108864 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.61

Part Package Code

DSBGA

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.32

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

频率

333 MHz

引脚数量

84

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

界面

Parallel

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

内存大小

128 MB

端口的数量

1

电源电流

260 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

最大电源电流

260 mA

电源电流-最大值

0.35 mA

访问时间

450 ps

数据总线宽度

16 b

组织结构

64MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

16 b

密度

1 Gb

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

1

最高频率

667 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

多库页面突发

自我刷新

YES

宽度

8 mm

高度

840 µm

长度

13.65 mm

辐射硬化

无