IS43LR32400E-6BLI详情
ISSI IS43LR32400E-6BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
90
终端数量
90
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Access Time-Max
5.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IS43LR32400E-6BLI
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Number of Words
4194304 words
Package Description
TFBGA, BGA90,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.56
Part Package Code
DSBGA
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源
1.8 V
温度等级
INDUSTRIAL
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.09 mA
组织结构
4MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.00003 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
电压 - 供电 (最大值)
1.95 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8,16
交错突发长度
2,4,8,16
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
13 mm
宽度
8 mm
IS43LR32400E-6BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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