ISSI IS46DR16128-3DBLA2

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

84

终端数量

84

RoHS

Compliant

Package Description

LFBGA, BGA84,9X15,32

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

128000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA84,9X15,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

105 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS46DR16128-3DBLA2

Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz

Number of Words

134217728 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.66

Part Package Code

BGA

Usage Level

Automotive grade

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

105 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.36

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

84

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

内存大小

256 MB

端口的数量

1

电源电流

280 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.485 mA

访问时间

3 ns

数据总线宽度

16 b

组织结构

128MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

17 b

密度

2 Gb

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

2147483648 bit

最高频率

667 MHz

筛选水平

AEC-Q100

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

多库页面突发

自我刷新

YES

宽度

10.5 mm

长度

13.5 mm

辐射硬化

无