IS46LD32640B-25BPLA25
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ISSI IS46LD32640B-25BPLA25

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型号

IS46LD32640B-25BPLA25

品牌

ISSI

utmel 编号

1266-IS46LD32640B-25BPLA25

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip Mobile LPDDR2 SDRAM 2Gbit 64M X 32 1.2V/1.8V 168-Pin VFBGA (Alt: IS46LD32640B-25BPLA25)

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IS46LD32640B-25BPLA25 ISSI DRAM Chip Mobile LPDDR2 SDRAM 2Gbit 64M X 32 1.2V/1.8V 168-Pin VFBGA (Alt: IS46LD32640B-25BPLA25)

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IS46LD32640B-25BPLA25详情

ISSI IS46LD32640B-25BPLA25重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Steel/Zn

  • 终端数量

    168

  • RoHS

  • Package Description

    VFBGA,

  • Package Style

    GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    64000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Operating Temperature-Max

    115 °C

  • Manufacturer Part Number

    IS46LD32640B-25BPLA25

  • Number of Words

    67108864 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.2 V

  • Package Code

    VFBGA

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    Integrated Silicon Solution Inc

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

  • Risk Rank

    5.64

  • 系列

    -

  • 附加功能

    SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.5 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B168

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.3 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.14 V

  • 注意

    -

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    64MX32

  • 座位高度-最大

    0.95 mm

  • 内存宽度

    32

  • 螺纹尺寸

    UNC 8-32

  • 记忆密度

    2147483648 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 头部直径

    8 mm

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    12 mm

  • 长度

    12 mm

  • 长度 - 整体

    34,1 mm

  • 头部高度

    2,3 mm

0个相似型号

IS46LD32640B-25BPLA25拓展信息

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