ISSI IS46TR16128D-125KBLA1

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-96

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

96-TWBGA (9x13)

终端数量

96

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

800 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 95 C

Supply Voltage-Max

1.575 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

190

Supply Voltage-Min

1.425 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

ISSI

Brand

ISSI

RoHS

Details

Package

Tray

Base Product Number

IS46TR16128

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

TFBGA,

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

128000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

95 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS46TR16128D-125KBLA1

Number of Words

134217728 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.5 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.59

系列

IS46TR16128D

操作温度

-40°C ~ 95°C (TC)

JESD-609代码

e1

类型

SDRAM - DDR3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

子类别

Memory & Data Storage

技术

SDRAM - DDR3

电压 - 供电

1.425V ~ 1.575V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B96

电源电压-最大值(Vsup)

1.575 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.425 V

内存大小

2 Gbit

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

800 MHz

电源电流-最大值

188 mA

访问时间

20 ns

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

16 bit

组织结构

128 M x 16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

产品类别

DRAM

记忆密度

2147483648 bit

内存IC类型

DDR DRAM

访问模式

多库页面突发

自我刷新

YES

产品类别

DRAM

组织的记忆

128M x 16

宽度

9 mm

长度

13 mm