ISSI IS61C1024-15NI

表面安装

NO

终端数量

32

Dimensions

1,6x0,8mm

Insulation Voltage

100 V

RoHS

有

Package Description

0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP32,.3

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

15 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IS61C1024-15NI

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.84

Part Package Code

DIP

系列

n/a

容差

±1 %

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.B

电阻

680.0 kOhm

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

组成

厚膜

附加功能

TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDIP-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

注意

n/a

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.2 mA

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.572 mm

内存宽度

8

大小

0603

待机电流-最大值

0.04 A

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

YES

额定功率

0,1 W

高度

0,45 mm

宽度

7.62 mm

长度

40.64 mm

达到SVHC

compliant