IS61LV12816L-8BI详情
ISSI IS61LV12816L-8BI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
48
终端数量
48
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TFBGA, BGA48,6X8,30
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
8 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IS61LV12816L-8BI
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Silicon Solution Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Risk Rank
5.26
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.63 V
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
界面
Parallel
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
3.135 V
内存大小
256 kB
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.07 mA
访问时间
8 ns
组织结构
128KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.004 A
记忆密度
2097152 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
宽度
6 mm
长度
8 mm
IS61LV12816L-8BI拓展信息
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
ISSI
ISSI
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