ISSI IS62WV5128BLL-55H

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

32

终端数量

32

Number of Words

512000

RoHS

Non-Compliant

Package Description

PLASTIC, STSOP1-32

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP32,.56,20

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IS62WV5128BLL-55H

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.8 V

Package Code

TSOP1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.28

Part Package Code

TSOP1

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

不合格

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

界面

Parallel

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

2.5 V

内存大小

512 kB

端口的数量

1

电源电流

40 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.04 mA

访问时间

55 ns

组织结构

512KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.25 mm

内存宽度

8

地址总线宽度

19 b

密度

4 Mb

待机电流-最大值

0.000015 A

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

8 b

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.2 V

宽度

8 mm

长度

11.8 mm