ISSI IS64VF12836EC-7.5B2LA3

表面安装

YES

终端数量

119

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Package Description

BGA, BGA119,7X17,50

Package Style

网格排列

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA119,7X17,50

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

10

Access Time-Max

7.5 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IS64VF12836EC-7.5B2LA3

Clock Frequency-Max (fCLK)

117 MHz

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.77

Part Package Code

BGA

Usage Level

Automotive grade

系列

*

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

119

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

2.625 V

电源

2.5 V

温度等级

AUTOMOTIVE

电源电压-最小值(Vsup)

2.375 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.185 mA

组织结构

128KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

3.5 mm

内存宽度

36

待机电流-最大值

0.1 A

记忆密度

4718592 bit

筛选水平

AEC-Q100

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

缓存SRAM

待机电压-最小值

2.38 V

宽度

14 mm

长度

22 mm