ISSI IS65WV25616BLL-55BA1

安装类型

SMD

表面安装

YES

终端数量

48

MSL

n/a

RoHS

有

Package Description

6 X 8 MM, MINI, BGA-48

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IS65WV25616BLL-55BA1

Number of Words

262144 words

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.51

Part Package Code

BGA

Usage Level

Automotive grade

操作温度

-40...+85°C

系列

LTC

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

频率

2250kHz

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

输出电压

0,6V...+5V

输出类型

可调式

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3/3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

注意

-

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.04 mA

组织结构

256KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.00002 A

记忆密度

4194304 bit

筛选水平

AEC-Q100

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.2 V

输入电压

2,5V...+5,5V

宽度

6 mm

长度

8 mm

达到SVHC

compliant