ISSI IS66WVH32M8DBLL-100B1LI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

24-TBGA

引脚数

24

供应商器件包装

24-TFBGA (6x8)

Maximum Clock Rate

100 MHz

Supplier Package

TFBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

32 Mbit

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Mounting

表面贴装

Package

Tray

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

-

技术

PSRAM (Pseudo SRAM)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

内存大小

256Mbit

工作电源电流

40 mA

端口的数量

1

时钟频率

100 MHz

访问时间

40 ns

内存格式

PSRAM

内存接口

Parallel

组织结构

32M x 8

写入周期时间 - 字符、页面

40ns

地址总线宽度

24 Bit

密度

256 Mbit

筛选水平

Industrial

组织的记忆

32M x 8