ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD010-JNLE-TR
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IS25CD010-JNLE-TR
1266-IS25CD010-JNLE-TR
存储器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Flash Memory 1M 2.7-3.6V 100Mhz Serial Flash
1最小包装量--
IS25CD010-JNLE-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD010-JNLE-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOIC
质量
540.001716mg
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~105°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
105°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
2.7V~3.6V
频率
100MHz
工作电源电压
3.3V
界面
SPI, Serial
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
2.7V
内存大小
1Mb 128K x 8
最大电源电流
15mA
时钟频率
100MHz
内存格式
FLASH
内存接口
SPI
数据总线宽度
8b
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
地址总线宽度
17b
密度
1 Mb
最高频率
100MHz
页面尺寸
256B
RoHS状态
符合RoHS标准
IS25CD010-JNLE-TR拓展信息
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