IS41LV16100B-50TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50TL

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型号

IS41LV16100B-50TL

utmel 编号

1266-IS41LV16100B-50TL

商品类别

存储器

封装

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 3.3V 44-Pin TSOP-II

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IS41LV16100B-50TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 3.3V 44-Pin TSOP-II

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IS41LV16100B-50TL详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

  • 引脚数

    44

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    2 (1 Year)

  • 终止次数

    44

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 附加功能

    RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 电压 - 供电

    3V~3.6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.8mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    50

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电源电压

    3.3V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3V

  • 内存大小

    16Mb 1M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    180mA

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 访问时间

    25ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    16b

  • 组织结构

    1MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 地址总线宽度

    10b

  • 密度

    16 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.002A

  • I/O类型

    COMMON

  • 刷新周期

    1024

  • 自我刷新

    NO

  • 长度

    20.95mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

IS41LV16100B-50TL拓展信息

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