ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50TL
- 收藏
- 对比
IS41LV16100B-50TL
1266-IS41LV16100B-50TL
存储器
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
大陆
立即发货

DRAM Chip EDO 16M-Bit 1Mx16 3.3V 44-Pin TSOP-II
--最小包装量--
IS41LV16100B-50TL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
44
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
44
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
50
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
16Mb 1M x 16
端口的数量
1
电源电流
180mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
25ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
地址总线宽度
10b
密度
16 Mb
待机电流-最大值
0.002A
I/O类型
COMMON
刷新周期
1024
自我刷新
NO
长度
20.95mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
符合RoHS标准
IS41LV16100B-50TL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







哦! 它是空的。