ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32100D-6BLI-TR
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IS42RM32100D-6BLI-TR
1266-IS42RM32100D-6BLI-TR
存储器
90-TFBGA
大陆
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DRAM 32M, 2.5V, M-SDRAM 1Mx32, 166Mhz, RoHS
--最小包装量--
IS42RM32100D-6BLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32100D-6BLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B90
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
32Mb 1M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX32
内存宽度
32
记忆密度
33554432 bit
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42RM32100D-6BLI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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