ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400G-6BLI
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IS42RM32400G-6BLI
1266-IS42RM32400G-6BLI
存储器
90-TFBGA
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DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 4Mx32 2.5V 90-Pin TFBGA
1最小包装量--
IS42RM32400G-6BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400G-6BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
引脚数
90
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
75mA
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH, ALSO OPERATES AT 2.5V, 1.8V SUPPLY
HTS代码
8542.32.00.02
电压 - 供电
2.5V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.8mm
资历状况
不合格
内存大小
128Mb 4M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
4MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
地址总线宽度
14b
密度
128 Mb
待机电流-最大值
0.00001A
最高频率
166MHz
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
2.7V
刷新周期
4096
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42RM32400G-6BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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