IS42S16100E-6BLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6BLI

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型号

IS42S16100E-6BLI

utmel 编号

1266-IS42S16100E-6BLI

商品类别

存储器

封装

60-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM 16M 1Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V

起订量

1最小包装量--

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IS42S16100E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc DRAM 16M 1Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V

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IS42S16100E-6BLI详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    60-TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    60

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    60

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 电压 - 供电

    3V~3.6V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.65mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    60

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源

    3.3V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3V

  • 内存大小

    16Mb 1M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    166MHz

  • 访问时间

    5.5ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    16b

  • 组织结构

    1MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.004A

  • I/O类型

    COMMON

  • 刷新周期

    2048

  • 顺序突发长度

    1248FP

  • 交错突发长度

    1248

  • 长度

    10.1mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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IS42S16100E-6BLI拓展信息

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