ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6BLI
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IS42S16100E-6BLI
1266-IS42S16100E-6BLI
存储器
60-TFBGA
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DRAM 16M 1Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
1最小包装量--
IS42S16100E-6BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
60
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
60
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源
3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
16Mb 1M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
1MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.004A
I/O类型
COMMON
刷新周期
2048
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
10.1mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
符合RoHS标准
IS42S16100E-6BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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