ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7BLI
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IS42S16160D-7BLI
1266-IS42S16160D-7BLI
存储器
54-TFBGA
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DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
--最小包装量--
IS42S16160D-7BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TFBGA
引脚数
54
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
54
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
256Mb 16M x 16
端口的数量
1
电源电流
130mA
时钟频率
143MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
地址总线宽度
15b
密度
256 Mb
待机电流-最大值
0.003A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
高度
800μm
长度
13.1mm
宽度
8.1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IS42S16160D-7BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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