ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6BLI-TR
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IS42S16400D-6BLI-TR
1266-IS42S16400D-6BLI-TR
存储器
60-TFBGA
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IC DRAM 64M PARALLEL 60MINIBGA
1最小包装量--
IS42S16400D-6BLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6BLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
供应商器件包装
60-MiniBGA (6.4x10.1)
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
3V~3.6V
频率
166MHz
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
3V
内存大小
64Mb 4M x 16
时钟频率
166MHz
访问时间
5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
最高频率
166MHz
RoHS状态
符合RoHS标准
IS42S16400D-6BLI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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