ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75EBL
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IS42S16800D-75EBL
1266-IS42S16800D-75EBL
存储器
54-VFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA
1最小包装量--
IS42S16800D-75EBL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75EBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-VFBGA
引脚数
54
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
54
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
54
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
128Mb 8M x 16
端口的数量
1
电源电流
130mA
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
133MHz
访问时间
6.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
地址总线宽度
14b
密度
128 Mb
待机电流-最大值
0.001A
I/O类型
COMMON
刷新周期
4096
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
13mm
座位高度(最大)
1mm
RoHS状态
符合RoHS标准
IS42S16800D-75EBL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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