ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BI
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IS42S32400F-6BI
1266-IS42S32400F-6BI
存储器
90-TFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
1最小包装量--
IS42S32400F-6BI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
ECCN 代码
EAR99
附加功能
PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B90
内存大小
128Mb 4M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
166MHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
4MX32
内存宽度
32
记忆密度
134217728 bit
访问时间(最大)
5.4 ns
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
3V
访问模式
四库页面突发
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42S32400F-6BI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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