ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7BI-TR
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IS42S32800B-7BI-TR
1266-IS42S32800B-7BI-TR
存储器
90-LFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA
1最小包装量--
IS42S32800B-7BI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7BI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-LFBGA
表面安装
YES
引脚数
90
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
90
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
256Mb 8M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
143MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32b
组织结构
8MX32
内存宽度
32
记忆密度
268435456 bit
长度
13mm
座位高度(最大)
1.45mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS42S32800B-7BI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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