ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-6TL-TR
- 收藏
- 对比
IS42S81600E-6TL-TR
1266-IS42S81600E-6TL-TR
存储器
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
大陆
立即发货

IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TSOP
1最小包装量--
IS42S81600E-6TL-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-6TL-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
54
供应商器件包装
54-TSOP II
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
150mA
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
电压 - 供电
3.3V
频率
166MHz
界面
Parallel
内存大小
128Mb 16M x 8
时钟频率
166MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
地址总线宽度
14b
密度
128 Mb
最高频率
166MHz
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
3V
RoHS状态
符合RoHS标准
IS42S81600E-6TL-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







哦! 它是空的。