ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-6TL-TR
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IS42S83200D-6TL-TR
1266-IS42S83200D-6TL-TR
存储器
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
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IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
1最小包装量--
IS42S83200D-6TL-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-6TL-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
电压 - 供电
3.3V
端子位置
DUAL
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G54
资历状况
不合格
电源
3.3V
内存大小
256Mb 32M x 8
时钟频率
166MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.003A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
RoHS状态
符合RoHS标准
IS42S83200D-6TL-TR拓展信息
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