ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-7BLI-TR
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IS42S83200J-7BLI-TR
1266-IS42S83200J-7BLI-TR
存储器
54-TFBGA
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
1最小包装量--
IS42S83200J-7BLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-7BLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
54-TFBGA
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~85°C TA
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PBGA-B54
内存大小
256Mb 32M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
143MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32MX8
内存宽度
8
记忆密度
268435456 bit
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
3V
宽度
8mm
座位高度(最大)
1.2mm
长度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42S83200J-7BLI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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