ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800E-75ETLI
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IS42SM16800E-75ETLI
1266-IS42SM16800E-75ETLI
存储器
54-TFBGA
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
1最小包装量--
IS42SM16800E-75ETLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800E-75ETLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
54
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
电压 - 供电
3.3V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
JESD-30代码
R-PDSO-G54
资历状况
不合格
内存大小
128Mb 8M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
133MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
8MX16
内存宽度
16
记忆密度
134217728 bit
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
3V
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42SM16800E-75ETLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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