ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BLI
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IS42VM16160D-8BLI
1266-IS42VM16160D-8BLI
存储器
54-TFBGA
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DRAM Chip Mobile SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA
--最小包装量--
IS42VM16160D-8BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
54-TFBGA
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
54
Memory Types
Volatile
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.95V
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
引脚数量
54
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
256Mb 16M x 16
端口的数量
1
电源电流
115mA
访问时间
6ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
16MX16
内存宽度
16
地址总线宽度
15b
密度
256 Mb
最高频率
125MHz
座位高度(最大)
1.2mm
长度
13mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
IS42VM16160D-8BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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