ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BLI-TR
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IS42VM16160D-8BLI-TR
1266-IS42VM16160D-8BLI-TR
存储器
54-TFBGA
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DRAM 256M (16Mx16) 125MHz Mobile SDRAM 1.8v
1最小包装量--
IS42VM16160D-8BLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e1
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
JESD-30代码
R-PBGA-B54
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
256Mb 16M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
6ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
16MX16
内存宽度
16
记忆密度
268435456 bit
最高频率
125MHz
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42VM16160D-8BLI-TR拓展信息
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