ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800E-75BLI
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IS42VM16800E-75BLI
1266-IS42VM16800E-75BLI
存储器
54-TFBGA
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DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA
1最小包装量--
IS42VM16800E-75BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800E-75BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TFBGA
引脚数
54
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
引脚数量
54
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
128Mb 8M x 16
端口的数量
1
电源电流
110mA
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
地址总线宽度
14b
密度
128 Mb
待机电流-最大值
0.000015A
最高频率
133MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
4096
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
8mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42VM16800E-75BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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