ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL
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IS43DR16128C-3DBL
1266-IS43DR16128C-3DBL
存储器
84-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
--最小包装量--
IS43DR16128C-3DBL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
84-TFBGA
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
包装
Tray
操作温度
0°C~85°C TC
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
附加功能
PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.8V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
2Gb 128M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.03A
记忆密度
2147483648 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
宽度
8mm
座位高度(最大)
1.2mm
长度
12.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43DR16128C-3DBL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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