ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320B-3DBI
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IS43DR16320B-3DBI
1266-IS43DR16320B-3DBI
存储器
84-TFBGA
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA
--最小包装量--
IS43DR16320B-3DBI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320B-3DBI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
引脚数
84
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
引脚数量
84
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512M 32M x 16
端口的数量
1
电源电流
280mA
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
15b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.008A
最高频率
333MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS43DR16320B-3DBI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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