ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBI-TR
- 收藏
- 对比
IS43DR16320D-3DBI-TR
1266-IS43DR16320D-3DBI-TR
存储器
84-TFBGA
大陆
立即发货

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA T/R
1最小包装量--
IS43DR16320D-3DBI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
84
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
no
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
unknown
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 32M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
13b
密度
512 Mb
长度
12.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS43DR16320D-3DBI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







哦! 它是空的。