ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBLI-TR
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IS43DR16320D-3DBLI-TR
1266-IS43DR16320D-3DBLI-TR
存储器
84-TFBGA
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA T/R
--最小包装量--
IS43DR16320D-3DBLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
84-TFBGA
安装类型
表面贴装
引脚数
84
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~85°C TA
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.7V~1.9V
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
工作电源电压
1.8V
内存大小
512Mb 32M x 16
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
13b
密度
512 Mb
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43DR16320D-3DBLI-TR拓展信息
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