ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBL
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IS43DR16320E-25DBL
1266-IS43DR16320E-25DBL
存储器
84-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
--最小包装量--
IS43DR16320E-25DBL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B84
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 32M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
536870912 bit
长度
10.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43DR16320E-25DBL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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