ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25EBLI-TR
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IS43DR16640B-25EBLI-TR
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存储器
84-TFBGA
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DRAM 1G (64Mx16) 400MHz DDR2 1.8v
1最小包装量--
IS43DR16640B-25EBLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25EBLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源
1.8V
内存大小
1Gb 64M x 16
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.015A
记忆密度
1073741824 bit
最高频率
400MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43DR16640B-25EBLI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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