ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBI-TR

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

包装/外壳

84-TFBGA

引脚数

84

Memory Types

Volatile

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-40°C~85°C TA

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

84

电压 - 供电

1.7V~1.9V

端子位置

BOTTOM

电源电压

1.8V

端子间距

0.8mm

资历状况

不合格

电源

1.8V

内存大小

1Gb 64M x 16

时钟频率

333MHz

访问时间

450ps

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

16b

组织结构

64MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

待机电流-最大值

0.015A

记忆密度

1073741824 bit

I/O类型

COMMON

刷新周期

8192

顺序突发长度

48

交错突发长度

48

RoHS状态

Non-RoHS Compliant