IS43DR16640C-25DBL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBL

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型号

IS43DR16640C-25DBL

utmel 编号

1266-IS43DR16640C-25DBL

商品类别

存储器

封装

84-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16

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IS43DR16640C-25DBL
IS43DR16640C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16

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IS43DR16640C-25DBL详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    84-TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • Memory Types

    Volatile

  • Usage Level

    Commercial grade

  • 操作温度

    0°C~85°C TC

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e1

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    84

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 电压 - 供电

    1.7V~1.9V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.8V

  • 端子间距

    0.8mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B84

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9V

  • 电源

    1.8V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7V

  • 内存大小

    1Gb 64M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    400MHz

  • 访问时间

    400ps

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    64MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 待机电流-最大值

    0.025A

  • 记忆密度

    1073741824 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    48

  • 交错突发长度

    48

  • 长度

    12.5mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 宽度

    8mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBL.

IS43DR16640C-25DBL拓展信息

IS42S16400J-7TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62C256AL-45TLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LP032D-JNLE-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S32400F-7BLI
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IS25LP128-JKLE
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IS43DR16320E-25DBLI
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IS25LQ020B-JNLE-TR
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IS25LP128F-JBLE-TR
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IS61LV2568L-10TL
IS61LV2568L-10TL

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