ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBI-TR
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IS43DR86400C-3DBI-TR
1266-IS43DR86400C-3DBI-TR
存储器
60-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
1最小包装量--
IS43DR86400C-3DBI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
供应商器件包装
60-TWBGA (8x10.5)
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
1.8V
频率
333MHz
最大电流源
120mA
界面
Parallel
内存大小
512Mb 64M x 8
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
最高频率
333MHz
电压 - 供电 (最大值)
1.9V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS43DR86400C-3DBI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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