ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-3BLI-TR
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IS43LD16640A-3BLI-TR
1266-IS43LD16640A-3BLI-TR
存储器
134-TFBGA
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DRAM Chip Mobile LPDDR2 S4 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.2V/1.8V 134-Pin TFBGA T/R
1最小包装量--
IS43LD16640A-3BLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-3BLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
134-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
134
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
134
附加功能
SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
电压 - 供电
1.14V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.2V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
电源电压-最大值(Vsup)
1.3V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14V
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
333MHz
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
13b
密度
1 Gb
访问模式
多库页面突发
长度
11.5mm
座位高度(最大)
1.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43LD16640A-3BLI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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