ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200C-6BLI
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IS43LR16200C-6BLI
1266-IS43LR16200C-6BLI
存储器
60-TFBGA
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DRAM 32M (2Mx16) 166Mhz 1.8v Mobile DDR
1最小包装量--
IS43LR16200C-6BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200C-6BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
80mA
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.8mm
内存大小
32Mb 2M x 16
端口的数量
1
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
2MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
地址总线宽度
12b
密度
32 Mb
待机电流-最大值
0.00001A
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
1.95V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
刷新周期
4096
顺序突发长度
24816
交错突发长度
24816
长度
10mm
座位高度(最大)
1.1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IS43LR16200C-6BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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